产品描述上海伯东日本原装进口离子蚀刻机IBE包含小型离子蚀刻用于研究分析和大型离子蚀刻系统用于生产制造.离子蚀刻系统对磁性材料,黄金,铂和合金金属提供**蚀刻技术.它很容易做各种材料的蚀刻.上海伯东...

产品描述上海伯东日本原装进口适合小规模量产使用和实验室研究的离子蚀刻机,一般通氩气Ar,无污染,内部使用美国KRI考夫曼离子源KDC40产生轰击离子;终点检出器采用Pfeiffer残余质谱监测当前气...

北京某实验室采用伯东Hakuto离子蚀刻机10IBE刻蚀衍射光学元件.Hakuto离子蚀刻机10IBE技术参数:基板尺寸<Ф8X1wfr样品台直接冷却（水冷）0-90度旋转离子源16c...

西南某高校在PDMS软刻蚀用母模板研究中有采用到伯东Hakuto离子蚀刻机7.5IBE.Hakuto离子蚀刻机7.5IBE技术规格:真空腔1set,主体不锈钢,水冷基片尺寸1set,4”/6”?St...

重庆某研究所在在氮化硅刻蚀工艺研究中采用hakuto离子刻蚀机7.5IBE.Hakuto离子蚀刻机7.5IBE技术规格:真空腔1set,主体不锈钢,水冷基片尺寸1set,4”/6”?Stage,直接...

安徽某晶体厂商采用hakuto离子刻蚀机20IBE-J刻蚀滤波器钽酸锂晶片,采用间歇式离子束刻蚀方法,解决了刻蚀区微裂纹工艺问题,使厚度为60μm钽酸锂晶片减薄至30μm.Hakuto离子蚀刻机20...

某厂商研发部门采用伯东Hakuto离子蚀刻机20IBE-C用于蚀刻KDP晶体进行抛光加工,用以消除单点金刚石车削（SPDT）后KDP晶体表面留下的周期性小尺度波纹.Hakuto离子蚀刻机20IBE-...

某印制板线路板生产工厂采用伯东Hakuto全自动离子刻蚀机MEL3100将覆铜板上不需要的铜蚀刻掉,将需要保留的铜保留下来.Hakuto全自动离子刻蚀机MEL3100技术参数:ModelMEL310...

某光学器件制造商采用伯东Hakuto离子蚀刻机20IBE-J应用于光学器件精密加工,通过蚀刻工艺提高光学器件的聚酰亚胺薄膜的表面光洁度.Hakuto离子蚀刻机20IBE-J技术参数Φ4inchX12...

某芯片设计机构研究部门采用伯东Hakuto离子蚀刻机7.5IBE用于芯片去层.Hakuto离子蚀刻机7.5IBE技术规格:真空腔1set,主体不锈钢,水冷基片尺寸1set,4”/6”?Stage,直...

某印刷电路板制造商采用伯东Hakuto离子蚀刻机20IBE-J应用于刻蚀印刷电路板局部表面去除污染物.Hakuto离子蚀刻机20IBE-J技术参数Φ4inchX12片基片尺寸Φ4inchX12片Φ5...

某研究机构采用Hakuto离子蚀刻机10IBE对碲镉汞晶体进行蚀刻,并研究碲镉汞晶体蚀刻后的电学特性.Hakuto离子蚀刻机10IBE技术参数:基板尺寸<Ф8X1wfr样品台直接冷却（...

Hakuto日本原装设计制造离子刻蚀机IBE,提供微米级刻蚀,满足所有材料的刻蚀,即使对磁性材料,金铜镍银铂等金属及复合半导体材料,这些难刻蚀的材料也能进行微米级刻蚀.伯东离子刻蚀机IBE组成主要包...

某半导体公司为了去除晶圆反应表面产生的反应产物,进而提高反应效率,同时提高晶圆的均匀度,采用Hakuto离子刻蚀机20IBE-C用于半导体晶圆刻蚀.Hakuto离子刻蚀机20IBE-C产品图如上图,...

某光学元件制造商为了优化碳化硅微光学元件,降低碳化硅微光学元件表面粗糙度,采用Hakuto离子蚀刻机10IBE对其进行优化.Hakuto离子蚀刻机10IBE技术参数:portant;&quo...

某芯片实验室为了解决芯片湿法刻蚀难以解决的横向腐蚀问题,引进伯东Hakuto离子蚀刻机7.5IBE用于刻蚀硅微机械陀螺芯片.Hakuto离子蚀刻机7.5IBE技术规格:portant;&qu...

某薄膜磁盘制造采用Hakuto全自动离子刻蚀机MEL3100用于刻蚀薄膜磁盘,去除溅射镀制磁盘薄膜的污染物和提高薄膜的均匀性.Hakuto全自动离子刻蚀机MEL3100技术参数:portant;&a...

硬盘磁头,是硬盘读取数据的关键部件,磁头的好坏在很大程度上决定着硬盘盘片的存储密度.GMR磁头的使用了磁阻效应更好的材料和多层薄膜结构,这比以前的传统磁头和MR（MagnetoResisive）磁阻...

某AI芯片公司研发部采用伯东20IBE-C用于蚀刻FSD车载AI芯片,去除制造过程中产生的污染物,提高AI芯片的表面均匀度.Hakuto离子蚀刻机20IBE-C技术参数如下:portant;&...

某高端半导体制造公司,采用Hakuto全自动离子刻蚀机MEL3100运用在集成电路制造的刻蚀工艺.Hakuto全自动离子刻蚀机MEL3100技术参数:portant;"&g...